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半导体制造厂商:三星电子第二季度销售额63万亿韩元

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据报道,三星电子第二季度销售额63万亿韩元(约合人民币3590万元),同比增长18.94%,市场预估61.47万亿韩元;第二季度营业利润12.5万亿韩元(约合人民币712万元),同比增长53.37%,市场预估11.04万亿韩元。


三星电子第二季度营业利润较市场预期高出10%以上,是2018年第三季度以来的最高值。销售额也创下历年同季新高。




据分析,半导体部门带动公司业绩增长。该部门营业利润可能高达78万亿韩元,较该部门上季度利润(3.4万亿韩元)多出1倍以上,在三星电子营业利润中的占比逼近60%


三星电子晶圆制造业务成立于2005年,该年建立了第一条晶圆生产线,在2011年三星实现了HKMG技术的量产,2015年实现FinFET技术量产,2016年实现10nm技术量产,2017年三星代工独立于公司的产品部门运营,2019年实现了7nm EUV量产




三星晶圆制造业务持续增长,2018年实现超过100亿美元的营收。与其他晶圆厂对比,三星晶圆制造厂营收排名第二。


目前三星晶圆产线有六条,一条8寸线位于韩国,主要生产180nm-70nm制程的产品,工艺技术包括嵌入式快闪记忆体(eFlash)、功率元件、影像感测器CIS,以及高电压制程的生产,主要服务于韩国本土的芯片设计商。剩下五条为12英寸产线,S2位于美国,其余都位于韩国。S1线生产65nm-8nm制程低功耗芯片,建成于2005年,是三星首条12英寸逻辑代工生产线,产品主要用于计算机网络、智能手机、汽车、以及日益成长的物联网市场等。S2主要生产65nm-14nm制程的产品。S3线生产10nm以下产品,将是三星7纳米产品的主力生产厂。S4专用于生产65nm制程CIS产品,目前CIS产能约8万片。除此之外,三星2月在韩国新开一条EUV产线,该产线主要生产7nm以下先进工艺芯片,预计到2020年底,该产线总投资达60亿美元,并将根据市场情况确定额外投资,预计在该产线的助力下,三星7nm及以下工艺节点的总产能将比19年增长三倍。


300mm晶圆主要用于45nm以下制程,主要用于RFeFlashEmram200mm晶圆主要用于65-180nm制程,该部分制程应用更为广泛,有RFeFlashHV(Display)BCDImage SensorFinger Print Sensor。三星同时发展FD-SOIFinFET技术,其中FD-SOI制程有18nm28nmFinFET技术主要用于14nm以下制程。7nm以下制程需要用到EUV技术。




三星目前关注的四个主要节点是14nm10nm7nm以及3nm。其中14/11nm2015年第一季度以来累计出货超过200万片晶圆,10/8nm2016年第4季度以来累计出货量超过80万片晶圆。在制程图上看,6LPP是三星7LPP的改进版,具有更高的晶体管密度,更低的功率,但可以重新使用最初为7LPP设计的IP,再下一代是5LPE,三星计划将5nm作为第二代EUV工艺。从3nm开始三星将放弃FinFET转向GAA晶体管,第一代是3GAE工艺,还有优化版3GAP工艺,后续还在继续优化改良中。三星预计在2020年上半年量产5nm,预计前期产能大概在1万片/月,潜在客户主要是三星本身以及高通。三星的3nm预计2021年底量产。

 

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